2019年12月4日17时10分
国际著名半导体器件物理学家、微电子学家、
中国科学院院士、电子科大教授陈星弼
因病医治无效
在四川成都逝世
享年89岁
陈星弼院士
1931年1月出生于上海
1952年毕业于国立同济大学电机系
先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作
1956年开始在电子科技大学任教
1999年当选中国科学院院士
他是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人
该发明被称为“功率器件的新里程碑”
其美国发明专利已被超过550个国际专利引用。
2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
因对我国功率半导体领域的突出贡献，陈星弼先生于1999年当选为中国科学院院士。
因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，他于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。
2018年5月，因发明的超结器件成为国内首位入选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂的科学家。
陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子工业部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师。
他是国际著名的半导体器件物理学家、微电子学家，是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。
上世纪八十年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构打破了传统功率器件的硅极限，被国际学术界称为“功率器件的新里程碑”。
2000年以后，陈星弼先生的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。
他发表超过200篇学术论文和获得授权中美等国发明专利40余项，其中著名的超结发明专利US 5216275被国际专利他引超过550次，并授权给国际主流半导体公司。
他主持完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项。
曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等。
中国功率半导体器件领路人
陈星弼与半导体结缘于1958年。
当年，在中国科学院进修的陈星弼被漂移晶体管吸引住了，当时他被指派去为计算机做半导体器件的测试。
他以一个科研工作者的天赋，敏感地意识到这一领域具有极大的研究价值和发展潜能。不久，他写了第一篇论文《关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题》，这篇论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后才发表了相关问题的论文。
真正让陈星弼走进世界舞台对中央，是因为他对“第二次电子革命”对的贡献。20世纪90年代初，行业内专家认为，陈星弼的几项发明成为第二次电子革命的突破口，这一创新在十年内将无人能突破。
在这背后，陈星弼的付出是巨大的。
陈星弼决心啃下这块硬骨头，要让仪器不仅有了一个“聪明的大脑”，还能做到“四肢发达”，让做开关的功率管能够轻松地直接连到集成电路上。
经过多年的试验，陈星弼通过改变功率管的结构，发明了复合缓冲耐压结构，现称为超结器件。
该技术已经获得美国和中国发明专利。自1998年起，国外已有8家公司在制造。这个方法的工艺被改进后，成本大大下降，目前已成为一种重要产品，科技成果转化市场规模每年超过10亿美元。
沉痛悼念并深切缅怀陈星弼先生!
陈星弼先生千古!
